Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Write Cycle Time Word Page
- 25ns
- RoHS Durumu
- Non-RoHS Compliant
- Kılıf / Paket
- 100-LQFP
- JESD-609 Kodu
- e0
- Standby Currentmax
- 0.00005A
- Io Type
- COMMON
- Operating Supply Voltage
- 3.3V
- Supply Voltagemax Vsup
- 3.6V
- Terminal Sayısı
- 100
- Standby Voltagemin
- 2V
- Memory Size
- 256Kb 16K x 16
- Qualification Status
- Not Qualified
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- NOT SPECIFIED
- Ambalaj
- Tray
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 2 (1 Year)
- Output Characteristics
- 3-STATE
- Yayın Yılı
- 2003
- Terminal Adımı
- 0.5mm
- Parça Durumu
- Obsolete
- Pin Sayısı
- 100
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- Çalışma Sıcaklığı
- 0°C~70°C TA
- Besleme Gerilimi
- 3.3V
- Besleme Gerilimi
- 3V~3.6V
- Memory Types
- Volatile
- Memory Interface
- Parallel
- Memory Format
- SRAM
- Nominal Supply Current
- 165mA
- Memory Width
- 16
- ECCN Kodu
- EAR99
- Supply Voltagemin Vsup
- 3V
- Organization
- 16KX16
- Terminal Kaplaması
- Tin/Lead (Sn/Pb)
- Word Size
- 16b
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Montaj
- Surface Mount
- Terminal Pozisyonu
- QUAD
- Number Of Ports
- 2
- Additional Feature
- FLOW-THROUGH
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 235
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory