Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Supply Voltagemax Vsup
- 3.6V
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 260
- Terminal Kaplaması
- Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
- Yayın Yılı
- 2002
- Organization
- 32KX8
- Montaj
- Surface Mount
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Syncasync
- Asynchronous
- Supply Voltagemin Vsup
- 2.7V
- Kurşunsuz
- Lead Free
- Terminal Sayısı
- 28
- Ambalaj
- Tube
- Memory Size
- 256Kb 32K x 8
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- 30
- Io Type
- COMMON
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 3 (168 Hours)
- Number Of Ports
- 1
- Kurşunsuz Kodu
- yes
- Çalışma Sıcaklığı
- -40°C~125°C TA
- Terminal Pozisyonu
- DUAL
- Temel Parça No
- CY62256
- Radyasyon Dayanımı
- No
- Density
- 256 kb
- Pin Sayısı
- 28
- Seri
- MoBL®
- ECCN Kodu
- EAR99
- Nominal Supply Current
- 30mA
- Fabrika Tedarik Süresi
- 15 Weeks
- Kılıf / Paket
- 28-SOIC (0.295, 7.50mm Width)
- Standby Currentmax
- 0.00005A
- JESD-609 Kodu
- e4
- Write Cycle Time Word Page
- 70ns
- Memory Format
- SRAM
- Address Bus Width
- 15b
- Operating Supply Voltage
- 3V
- Memory Width
- 8
- Word Size
- 8b
- Maks. Oturma Yüksekliği
- 2.794mm
- Besleme Gerilimi
- 3V
- Output Characteristics
- 3-STATE
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory