Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Standby Voltagemin
- 2V
- Word Size
- 8b
- Memory Width
- 8
- Operating Supply Voltage
- 5V
- Memory Format
- SRAM
- Address Bus Width
- 15b
- Write Cycle Time Word Page
- 55ns
- JESD-609 Kodu
- e4
- Memory Types
- Volatile
- Frekans
- 55GHz
- Access Time Max
- 55 ns
- Parça Durumu
- Last Time Buy
- Pin Sayısı
- 28
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Besleme Gerilimi
- 4.5V~5.5V
- Memory Interface
- Parallel
- Output Characteristics
- 3-STATE
- Besleme Gerilimi
- 5V
- Çalışma Sıcaklığı
- -40°C~85°C TA
- Kurşunsuz Kodu
- yes
- Number Of Ports
- 1
- Terminal Adımı
- 0.55mm
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 3 (168 Hours)
- Io Type
- COMMON
- Memory Size
- 256Kb 32K x 8
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- 20
- Ambalaj
- Tape & Reel (TR)
- Power Supplies
- 5V
- Terminal Sayısı
- 28
- Kurşunsuz
- Lead Free
- Syncasync
- Asynchronous
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Montaj
- Surface Mount
- Organization
- 32KX8
- Yayın Yılı
- 2002
- Terminal Kaplaması
- Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 260
- Kılıf / Paket
- 28-TSSOP (0.465, 11.80mm Width)
- Fabrika Tedarik Süresi
- 8 Weeks
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory