Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Write Cycle Time Word Page
- 70ns
- JESD-609 Kodu
- e1
- Memory Format
- SRAM
- Address Bus Width
- 21b
- Operating Supply Voltage
- 1.8V
- Memory Width
- 16
- Besleme Gerilimi
- 1.8V
- Memory Interface
- Parallel
- Besleme Gerilimi
- 1.65V~2.25V
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Pin Sayısı
- 48
- Memory Types
- Volatile
- Access Time Max
- 70 ns
- Parça Durumu
- Active
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 260
- Terminal Kaplaması
- TIN SILVER COPPER
- Supply Voltagemax Vsup
- 2.25V
- Yayın Yılı
- 2001
- Uzunluk
- 9.5mm
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Yüzey Montaj
- YES
- Ambalaj
- Tray
- Memory Size
- 32Mb 4M x 8 2M x 16
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- 40
- Terminal Sayısı
- 48
- Kurşunsuz
- Lead Free
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 3 (168 Hours)
- Number Of Ports
- 1
- Terminal Adımı
- 0.75mm
- Çalışma Sıcaklığı
- -40°C~85°C TA
- Radyasyon Dayanımı
- No
- Terminal Pozisyonu
- BOTTOM
- Density
- 32 Mb
- Seri
- MoBL®
- Fabrika Tedarik Süresi
- 13 Weeks
- Kılıf / Paket
- 48-TFBGA
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory