CY62177EV18LL-70BAXI

Teknik Özellikler

Write Cycle Time Word Page

70ns

JESD-609 Kodu

e1

Memory Format

SRAM

Address Bus Width

21b

Operating Supply Voltage

1.8V

Memory Width

16

Besleme Gerilimi

1.8V

Memory Interface

Parallel

Besleme Gerilimi

1.65V~2.25V

Fonksiyon Sayısı

1

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Pin Sayısı

48

Memory Types

Volatile

Access Time Max

70 ns

Parça Durumu

Active

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Terminal Kaplaması

TIN SILVER COPPER

Supply Voltagemax Vsup

2.25V

Yayın Yılı

2001

Uzunluk

9.5mm

Montaj Tipi

Surface Mount

Yüzey Montaj

YES

Ambalaj

Tray

Memory Size

32Mb 4M x 8 2M x 16

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Terminal Sayısı

48

Kurşunsuz

Lead Free

Nem Hassasiyeti (MSL)

3 (168 Hours)

Number Of Ports

1

Terminal Adımı

0.75mm

Çalışma Sıcaklığı

-40°C~85°C TA

Radyasyon Dayanımı

No

Terminal Pozisyonu

BOTTOM

Density

32 Mb

Seri

MoBL®

Fabrika Tedarik Süresi

13 Weeks

Kılıf / Paket

48-TFBGA