+90 533 300 32 01
C3 ChipZentronix
CY62177DV30LL-55BAXI

Cypress Semiconductor Corp

CY62177DV30LL-55BAXI

Memory

RoHS: Compliant

Fiyat için teklif alın

Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.

Teknik özet (PDF)

Sevkiyat

Stoktan aynı gün hazırlık

Orijinal ürün

Doğrulanmış tedarik

RoHS

Compliant

Destek

Teknik ekip desteği

Teknik Özellikler

RoHS Durumu
ROHS3 Compliant
Fonksiyon Sayısı
1
Pin Sayısı
48
Parça Durumu
Obsolete
Memory Types
Volatile
Access Time Max
55 ns
Besleme Gerilimi
3V
Output Characteristics
3-STATE
Memory Interface
Parallel
Besleme Gerilimi
2.2V~3.6V
Operating Supply Voltage
3V
Memory Width
16
Word Size
16b
Standby Currentmax
0.000025A
Write Cycle Time Word Page
55ns
JESD-609 Kodu
e1
Memory Format
SRAM
Address Bus Width
21b
Nominal Supply Current
30mA
Reach Svhc
No SVHC
Kılıf / Paket
48-TFBGA
Max Frequency
18MHz
Terminal Pozisyonu
BOTTOM
Temel Parça No
CY62177
Radyasyon Dayanımı
No
Pin Sayısı
48
Density
32 Mb
Seri
MoBL®
Terminal Sayısı
48
Kurşunsuz
Lead Free
Supply Voltagemin Vsup
2.2V
Memory Size
32Mb 2M x 16
Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
20
Ambalaj
Tray
Nem Hassasiyeti (MSL)
3 (168 Hours)
Io Type
COMMON
Terminal Adımı
0.75mm
Number Of Ports
1
Kurşunsuz Kodu
yes
Çalışma Sıcaklığı
-40°C~85°C TA

İlgili Ürünler

  • Microchip Technology

    11AA010-I/MS

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/P

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/SN

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/TO

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/MNY

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/MS

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/SN

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/TT

    Memory
  • Hızlı Teslimat

    Stoktan aynı gün hazırlık ve sevkiyat

    Orijinal Ürün

    Yetkili kaynaklardan tedarik

    Datasheet

    Parça için teknik doküman erişimi

    Teknik Destek

    Satış öncesi ve sonrası uzman destek