Adet bazlı fiyat
- 1+ adet$1.09
- 10+ adet$1.03
- 100+ adet$0.97
- 500+ adet$0.92
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Besleme Gerilimi
- 3V
- Output Characteristics
- 3-STATE
- Memory Interface
- Parallel
- Besleme Gerilimi
- 2.2V~3.6V
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- Pin Sayısı
- 48
- Parça Durumu
- Active
- Access Time Max
- 45 ns
- Memory Types
- Volatile
- JESD-609 Kodu
- e1
- Write Cycle Time Word Page
- 45ns
- Address Bus Width
- 21b
- Memory Format
- SRAM
- Operating Supply Voltage
- 3V
- Memory Width
- 8
- Word Size
- 8b
- Terminal Pozisyonu
- BOTTOM
- Temel Parça No
- CY62168
- Radyasyon Dayanımı
- No
- Pin Sayısı
- 48
- Density
- 16 Mb
- Seri
- MoBL®
- Nominal Supply Current
- 30mA
- Fabrika Tedarik Süresi
- 10 Weeks
- Kılıf / Paket
- 48-VFBGA
- Supply Voltagemax Vsup
- 3.6V
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 260
- Terminal Kaplaması
- Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
- Yayın Yılı
- 2003
- Organization
- 2MX8
- Uzunluk
- 8mm
- Montaj
- Surface Mount
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Syncasync
- Asynchronous
- Supply Voltagemin Vsup
- 2.2V
- Kurşunsuz
- Lead Free
- Terminal Sayısı
- 48
- Ambalaj
- Tray
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- 30
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory