Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 3 (168 Hours)
- Memory Size
- 16Mb 2M x 8 1M x 16
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- 30
- Ambalaj
- Tray
- Yüzey Montaj
- YES
- Supply Voltagemin Vsup
- 2.2V
- Terminal Sayısı
- 48
- Kurşunsuz
- Lead Free
- Çalışma Sıcaklığı
- -40°C~85°C TA
- Terminal Adımı
- 0.75mm
- Genişlik
- 6mm
- Organization
- 1MX16
- Memory Density
- 16777216 bit
- Yayın Yılı
- 2011
- Terminal Kaplaması
- Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 260
- Supply Voltagemax Vsup
- 3.6V
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Uzunluk
- 8mm
- ECCN Kodu
- 3A991.B.2.B
- Kılıf / Paket
- 48-VFBGA
- Fabrika Tedarik Süresi
- 12 Weeks
- Temel Parça No
- CY62167
- Terminal Pozisyonu
- BOTTOM
- Seri
- MoBL®
- HTS Kodu
- 8542.32.00.41
- Memory Width
- 16
- Maks. Oturma Yüksekliği
- 1mm
- Memory Format
- SRAM
- Write Cycle Time Word Page
- 45ns
- JESD-609 Kodu
- e1
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Memory Types
- Volatile
- Access Time Max
- 45 ns
- Parça Durumu
- Active
- Alternate Memory Width
- 8
- Pin Sayısı
- 48
- Memory Interface
- Parallel
- Besleme Gerilimi
- 3V
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory