Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Word Size
- 16b
- Operating Supply Voltage
- 3V
- Memory Width
- 16
- Standby Currentmax
- 0.00003A
- Write Cycle Time Word Page
- 55ns
- JESD-609 Kodu
- e4
- Address Bus Width
- 19b
- Memory Format
- SRAM
- Jesd30 Code
- R-PDSO-G44
- Pin Sayısı
- 48
- Parça Durumu
- Active
- Access Time Max
- 55 ns
- Memory Types
- Volatile
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- Besleme Gerilimi
- 2.2V~3.6V
- Besleme Gerilimi
- 3V
- Output Characteristics
- 3-STATE
- Memory Interface
- Parallel
- Terminal Adımı
- 0.8mm
- Number Of Ports
- 1
- Çalışma Sıcaklığı
- -40°C~125°C TA
- Kurşunsuz Kodu
- yes
- Supply Voltagemin Vsup
- 2.2V
- Kurşunsuz
- Lead Free
- Terminal Sayısı
- 44
- Ambalaj
- Tape & Reel (TR)
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- 30
- Memory Size
- 8Mb 512K x 16
- Io Type
- COMMON
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 3 (168 Hours)
- Montaj
- Surface Mount
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Syncasync
- Asynchronous
- Terminal Kaplaması
- Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 260
- Supply Voltagemax Vsup
- 3.6V
- Yayın Yılı
- 2011
- Fabrika Tedarik Süresi
- 8 Weeks
- Kılıf / Paket
- 44-TSOP (0.400, 10.16mm Width)
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory