Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Standby Currentmax
- 0.00002A
- JESD-609 Kodu
- e3
- Write Cycle Time Word Page
- 55ns
- Memory Format
- SRAM
- Standby Voltagemin
- 1.5V
- Maks. Oturma Yüksekliği
- 1.2mm
- Supply Currentmax
- 0.03mA
- Usage Level
- Automotive grade
- Memory Width
- 8
- Besleme Gerilimi
- 2.2V~3.6V
- Screening Level
- AEC-Q100
- Besleme Gerilimi
- 3V
- Output Characteristics
- 3-STATE
- Memory Interface
- Parallel
- Pin Sayısı
- 32
- Parça Durumu
- Obsolete
- Access Time Max
- 55 ns
- Memory Types
- Volatile
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- Uzunluk
- 20.95mm
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Supply Voltagemax Vsup
- 3.6V
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 260
- Terminal Kaplaması
- Matte Tin (Sn)
- Yayın Yılı
- 2003
- Memory Density
- 4194304 bit
- Organization
- 512KX8
- Genişlik
- 10.16mm
- Terminal Adımı
- 1.27mm
- Qualification Status
- Not Qualified
- Çalışma Sıcaklığı
- -40°C~125°C TA
- Supply Voltagemin Vsup
- 2.2V
- Kurşunsuz
- Lead Free
- Terminal Sayısı
- 32
- Yüzey Montaj
- YES
- Power Supplies
- 2.5/3.3V
- Ambalaj
- Tray
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- 20
- Memory Size
- 4Mb 512K x 8
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory