Adet bazlı fiyat
- 1+ adet$9.16
- 10+ adet$8.64
- 100+ adet$8.16
- 500+ adet$7.69
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Address Bus Width
- 19b
- Memory Format
- SRAM
- JESD-609 Kodu
- e3
- Write Cycle Time Word Page
- 45ns
- Standby Currentmax
- 0.000007A
- Word Size
- 8b
- Memory Width
- 8
- Besleme Gerilimi
- 2.2V~3.6V
- Memory Interface
- Parallel
- Output Characteristics
- 3-STATE
- Besleme Gerilimi
- 3V
- Access Time Max
- 45 ns
- Frekans
- 45GHz
- Memory Types
- Volatile
- Parça Durumu
- Active
- Pin Sayısı
- 32
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Syncasync
- Asynchronous
- Montaj
- Surface Mount
- Uzunluk
- 20.95mm
- Yayın Yılı
- 2003
- Supply Voltagemax Vsup
- 3.6V
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 260
- Terminal Kaplaması
- Matte Tin (Sn)
- Çalışma Sıcaklığı
- -40°C~85°C TA
- Kurşunsuz Kodu
- yes
- Number Of Ports
- 1
- Io Type
- COMMON
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 3 (168 Hours)
- Power Supplies
- 2.5/3.3V
- Ambalaj
- Tape & Reel (TR)
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- 30
- Memory Size
- 4Mb 512K x 8
- Supply Voltagemin Vsup
- 2.2V
- Kurşunsuz
- Lead Free
- Terminal Sayısı
- 32
- Seri
- MoBL®
- Density
- 4 Mb
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory