Adet bazlı fiyat
- 1+ adet$6.43
- 10+ adet$6.07
- 100+ adet$5.72
- 500+ adet$5.40
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Word Size
- 8b
- Memory Width
- 8
- Standby Currentmax
- 0.000007A
- Write Cycle Time Word Page
- 45ns
- JESD-609 Kodu
- e3
- Memory Format
- SRAM
- Address Bus Width
- 19b
- Pin Sayısı
- 32
- Parça Durumu
- Obsolete
- Memory Types
- Volatile
- Access Time Max
- 45 ns
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- Besleme Gerilimi
- 2.2V~3.6V
- Besleme Gerilimi
- 3V
- Output Characteristics
- 3-STATE
- Memory Interface
- Parallel
- Number Of Ports
- 1
- Çalışma Sıcaklığı
- -40°C~85°C TA
- Terminal Sayısı
- 32
- Kurşunsuz
- Lead Free
- Supply Voltagemin Vsup
- 2.2V
- Memory Size
- 4Mb 512K x 8
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- 20
- Ambalaj
- Tray
- Power Supplies
- 2.5/3.3V
- Io Type
- COMMON
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 3 (168 Hours)
- Uzunluk
- 20.95mm
- Montaj
- Surface Mount
- Syncasync
- Asynchronous
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Supply Voltagemax Vsup
- 3.6V
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 260
- Terminal Kaplaması
- Matte Tin (Sn)
- Yayın Yılı
- 2003
- Kılıf / Paket
- 32-SOIC (0.400, 10.16mm Width)
- Nominal Supply Current
- 20mA
- Pin Sayısı
- 32
- Density
- 4 Mb
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory