Adet bazlı fiyat
- 1+ adet$0.75
- 10+ adet$0.71
- 100+ adet$0.67
- 500+ adet$0.63
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Write Cycle Time Word Page
- 55ns
- JESD-609 Kodu
- e4
- Standby Currentmax
- 0.000007A
- Memory Format
- SRAM
- Address Bus Width
- 19b
- Maks. Oturma Yüksekliği
- 2.997mm
- Standby Voltagemin
- 2V
- Word Size
- 8b
- Operating Supply Voltage
- 5V
- Memory Width
- 8
- Besleme Gerilimi
- 4.5V~5.5V
- Output Characteristics
- 3-STATE
- Besleme Gerilimi
- 5V
- Memory Interface
- Parallel
- Pin Sayısı
- 32
- Memory Types
- Volatile
- Access Time Max
- 55 ns
- Parça Durumu
- Obsolete
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Montaj
- Surface Mount
- Uzunluk
- 20.4465mm
- Syncasync
- Asynchronous
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Terminal Kaplaması
- Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 260
- Yayın Yılı
- 2007
- Number Of Ports
- 1
- Çalışma Sıcaklığı
- -40°C~85°C TA
- Kurşunsuz Kodu
- yes
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- 20
- Memory Size
- 4Mb 512K x 8
- Ambalaj
- Tube
- Power Supplies
- 5V
- Terminal Sayısı
- 32
- Kurşunsuz
- Lead Free
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 3 (168 Hours)
- Io Type
- COMMON
- Density
- 4 Mb
- Pin Sayısı
- 32
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory