Adet bazlı fiyat
- 1+ adet$2.85
- 10+ adet$2.69
- 100+ adet$2.53
- 500+ adet$2.39
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Parça Durumu
- Active
- Frekans
- 1MHz
- Pin Sayısı
- 44
- Memory Interface
- Parallel
- Operating Supply Voltage
- 3V
- Word Size
- 16b
- Address Bus Width
- 18b
- Memory Format
- SRAM
- Standby Currentmax
- 0.000007A
- Nominal Supply Current
- 20mA
- Terminal Pozisyonu
- DUAL
- Temel Parça No
- CY62147
- Seri
- MoBL®
- Density
- 4 Mb
- Kurşunsuz
- Lead Free
- Supply Voltagemin Vsup
- 2.2V
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- 30
- Ambalaj
- Tray
- Terminal Adımı
- 0.8mm
- Number Of Ports
- 1
- Yayın Yılı
- 2001
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 260
- Supply Voltagemax Vsup
- 3.6V
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- Access Time Max
- 45 ns
- Memory Types
- Volatile
- Besleme Gerilimi
- 3V
- Output Characteristics
- 3-STATE
- Besleme Gerilimi
- 2.2V~3.6V
- Write Cycle Time Word Page
- 45ns
- JESD-609 Kodu
- e4
- Kılıf / Paket
- 44-TSOP (0.400, 10.16mm Width)
- Fabrika Tedarik Süresi
- 6 Weeks
- Reach Svhc
- No SVHC
- Radyasyon Dayanımı
- No
- Pin Sayısı
- 44
- Yükseklik
- 1.044mm
- Io Type
- COMMON
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 3 (168 Hours)
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory