Adet bazlı fiyat
- 1+ adet$3.16
- 10+ adet$2.98
- 100+ adet$2.81
- 500+ adet$2.65
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Output Characteristics
- 3-STATE
- Besleme Gerilimi
- 3V
- Memory Interface
- Parallel
- Besleme Gerilimi
- 2.2V~3.6V
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Pin Sayısı
- 44
- Memory Types
- Volatile
- Access Time Max
- 45 ns
- Parça Durumu
- Discontinued
- Write Cycle Time Word Page
- 45ns
- JESD-609 Kodu
- e4
- Standby Currentmax
- 0.000007A
- Memory Format
- SRAM
- Address Bus Width
- 18b
- Operating Supply Voltage
- 3V
- Memory Width
- 16
- Word Size
- 16b
- Radyasyon Dayanımı
- No
- Temel Parça No
- CY62147
- Terminal Pozisyonu
- DUAL
- Density
- 4 Mb
- Seri
- MoBL®
- Nominal Supply Current
- 20mA
- Kılıf / Paket
- 44-TSOP (0.400, 10.16mm Width)
- Terminal Kaplaması
- Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 260
- Supply Voltagemax Vsup
- 3.6V
- Yayın Yılı
- 2001
- Montaj
- Surface Mount
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Syncasync
- Asynchronous
- Memory Size
- 4Mb 256K x 16
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- 20
- Ambalaj
- Tape & Reel (TR)
- Terminal Sayısı
- 44
- Kurşunsuz
- Lead Free
- Supply Voltagemin Vsup
- 2.2V
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 3 (168 Hours)
- Io Type
- COMMON
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory