Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Yayın Yılı
- 2001
- Terminal Kaplaması
- Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 260
- Supply Voltagemax Vsup
- 3.6V
- Syncasync
- Asynchronous
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Uzunluk
- 18.52mm
- Montaj
- Surface Mount
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 3 (168 Hours)
- Io Type
- COMMON
- Kurşunsuz
- Lead Free
- Terminal Sayısı
- 44
- Supply Voltagemin Vsup
- 2.2V
- Memory Size
- 4Mb 256K x 16
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- 30
- Ambalaj
- Tray
- Çalışma Sıcaklığı
- -40°C~85°C TA
- Terminal Adımı
- 0.8mm
- Genişlik
- 10.26mm
- Number Of Ports
- 1
- Terminal Pozisyonu
- DUAL
- Temel Parça No
- CY62147
- Radyasyon Dayanımı
- No
- Seri
- MoBL®
- Yükseklik
- 1.04mm
- Density
- 4 Mb
- Pin Sayısı
- 44
- Nominal Supply Current
- 20mA
- Kılıf / Paket
- 44-TSOP (0.400, 10.16mm Width)
- Memory Format
- SRAM
- Address Bus Width
- 18b
- Standby Currentmax
- 0.000007A
- Write Cycle Time Word Page
- 45ns
- JESD-609 Kodu
- e4
- Operating Supply Voltage
- 3V
- Word Size
- 16b
- Memory Interface
- Parallel
- Besleme Gerilimi
- 3V
- Output Characteristics
- 3-STATE
- Besleme Gerilimi
- 2.2V~3.6V
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory