Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- Parça Durumu
- Active
- Memory Types
- Volatile
- Access Time Max
- 45 ns
- Memory Interface
- Parallel
- Besleme Gerilimi
- 3V
- Output Characteristics
- 3-STATE
- Besleme Gerilimi
- 2.2V~3.6V
- HTS Kodu
- 8542.32.00.41
- Memory Width
- 16
- Maks. Oturma Yüksekliği
- 1.194mm
- Standby Voltagemin
- 1V
- Jesd30 Code
- R-PDSO-G44
- Memory Format
- SRAM
- Standby Currentmax
- 0.000013A
- Write Cycle Time Word Page
- 45ns
- ECCN Kodu
- 3A991.B.2.A
- Kılıf / Paket
- 44-TSOP (0.400, 10.16mm Width)
- Fabrika Tedarik Süresi
- 13 Weeks
- Terminal Pozisyonu
- DUAL
- Temel Parça No
- CY621472
- Seri
- MoBL®
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 3 (168 Hours)
- Io Type
- COMMON
- Terminal Sayısı
- 44
- Supply Voltagemin Vsup
- 2.2V
- Memory Size
- 4Mb 256K x 16
- Ambalaj
- Tray
- Power Supplies
- 2.5/3.3V
- Yüzey Montaj
- YES
- Qualification Status
- Not Qualified
- Çalışma Sıcaklığı
- -40°C~85°C TA
- Genişlik
- 10.16mm
- Terminal Adımı
- 0.8mm
- Yayın Yılı
- 2012
- Memory Density
- 4194304 bit
- Organization
- 256KX16
- Supply Voltagemax Vsup
- 3.6V
- Montaj Tipi
- Surface Mount
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory