Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- JESD-609 Kodu
- e1
- Write Cycle Time Word Page
- 45ns
- Besleme Gerilimi
- 2.2V~3.6V
- Besleme Gerilimi
- 3V
- Output Characteristics
- 3-STATE
- Memory Types
- Volatile
- Access Time Max
- 45 ns
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- Uzunluk
- 8mm
- Montaj
- Surface Mount
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Syncasync
- Asynchronous
- Terminal Kaplaması
- Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
- Kurşunsuz Kodu
- yes
- Çalışma Sıcaklığı
- -40°C~85°C TA
- Terminal Sayısı
- 36
- Memory Size
- 2Mb 256K x 8
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 3 (168 Hours)
- Io Type
- COMMON
- Pin Sayısı
- 36
- Radyasyon Dayanımı
- No
- Fabrika Tedarik Süresi
- 7 Weeks
- Kılıf / Paket
- 36-VFBGA
- Standby Currentmax
- 0.000004A
- Memory Format
- SRAM
- Address Bus Width
- 18b
- Word Size
- 8b
- Operating Supply Voltage
- 3V
- Memory Width
- 8
- Memory Interface
- Parallel
- Pin Sayısı
- 36
- Parça Durumu
- Active
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 260
- Supply Voltagemax Vsup
- 3.6V
- Yayın Yılı
- 2003
- Organization
- 256KX8
- Terminal Adımı
- 0.75mm
- Number Of Ports
- 1
- Supply Voltagemin Vsup
- 2.2V
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory