Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Memory Interface
- Parallel
- Besleme Gerilimi
- 3V
- Output Characteristics
- 3-STATE
- Besleme Gerilimi
- 2.2V~3.6V
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- Parça Durumu
- Active
- Memory Types
- Volatile
- Access Time Max
- 45 ns
- Pin Sayısı
- 48
- Memory Format
- SRAM
- Address Bus Width
- 17b
- Standby Currentmax
- 0.000004A
- Write Cycle Time Word Page
- 45ns
- JESD-609 Kodu
- e1
- Memory Width
- 16
- Operating Supply Voltage
- 3V
- Word Size
- 16b
- Terminal Pozisyonu
- BOTTOM
- Radyasyon Dayanımı
- No
- Temel Parça No
- CY62137
- Seri
- MoBL®
- Density
- 2 Mb
- Nominal Supply Current
- 18mA
- Kılıf / Paket
- 48-VFBGA
- Fabrika Tedarik Süresi
- 6 Weeks
- Yayın Yılı
- 2001
- Terminal Kaplaması
- Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 260
- Supply Voltagemax Vsup
- 3.6V
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Syncasync
- Asynchronous
- Uzunluk
- 8mm
- Montaj
- Surface Mount
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 3 (168 Hours)
- Io Type
- COMMON
- Terminal Sayısı
- 48
- Kurşunsuz
- Lead Free
- Supply Voltagemin Vsup
- 2.2V
- Memory Size
- 2Mb 128K x 16
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory