Adet bazlı fiyat
- 1+ adet$8.86
- 10+ adet$8.36
- 100+ adet$7.89
- 500+ adet$7.44
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Memory Format
- SRAM
- Address Bus Width
- 17b
- Write Cycle Time Word Page
- 45ns
- JESD-609 Kodu
- e4
- Standby Currentmax
- 0.000003A
- Standby Voltagemin
- 1V
- Word Size
- 16b
- Memory Width
- 16
- Operating Supply Voltage
- 3V
- Besleme Gerilimi
- 2.2V~3.6V
- Memory Interface
- Parallel
- Output Characteristics
- 3-STATE
- Besleme Gerilimi
- 3V
- Memory Types
- Volatile
- Access Time Max
- 45 ns
- Parça Durumu
- Active
- Pin Sayısı
- 44
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Syncasync
- Asynchronous
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Montaj
- Surface Mount
- Yayın Yılı
- 2001
- Terminal Kaplaması
- Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 260
- Supply Voltagemax Vsup
- 3.6V
- Çalışma Sıcaklığı
- -40°C~85°C TA
- Kurşunsuz Kodu
- yes
- Number Of Ports
- 1
- Terminal Adımı
- 0.8mm
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 3 (168 Hours)
- Io Type
- COMMON
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- 30
- Memory Size
- 2Mb 128K x 16
- Ambalaj
- Tape & Reel (TR)
- Terminal Sayısı
- 44
- Kurşunsuz
- Lead Free
- Supply Voltagemin Vsup
- 2.2V
- Seri
- MoBL®
- Density
- 2 Mb
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory