+90 533 300 32 01
C3 ChipZentronix
CY62136FV30LL-45BVXIT

Cypress Semiconductor Corp

CY62136FV30LL-45BVXIT

Memory

RoHS: Compliant

Fiyat için teklif alın

Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.

Teknik özet (PDF)

Sevkiyat

Stoktan aynı gün hazırlık

Orijinal ürün

Doğrulanmış tedarik

RoHS

Compliant

Destek

Teknik ekip desteği

Teknik Özellikler

Seri
MoBL®
Temel Parça No
CY62136
Terminal Pozisyonu
BOTTOM
Kılıf / Paket
48-VFBGA
Fabrika Tedarik Süresi
6 Weeks
ECCN Kodu
3A991.B.2.A
Montaj Tipi
Surface Mount
Uzunluk
8mm
Memory Density
2097152 bit
Organization
128KX16
Yayın Yılı
2001
Supply Voltagemax Vsup
3.6V
Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
260
Terminal Kaplaması
Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
Çalışma Sıcaklığı
-40°C~85°C TA
Kurşunsuz Kodu
yes
Qualification Status
Not Qualified
Terminal Adımı
0.75mm
Genişlik
6mm
Io Type
COMMON
Nem Hassasiyeti (MSL)
3 (168 Hours)
Yüzey Montaj
YES
Power Supplies
2.5/3.3V
Ambalaj
Tape & Reel (TR)
Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
30
Memory Size
2Mb 128K x 16
Supply Voltagemin Vsup
2.2V
Terminal Sayısı
48
Besleme Gerilimi
2.2V~3.6V
Memory Interface
Parallel
Output Characteristics
3-STATE
Besleme Gerilimi
3V
Memory Types
Volatile
Access Time Max
45 ns
Parça Durumu
Active
Fonksiyon Sayısı
1
RoHS Durumu
ROHS3 Compliant
Memory Format
SRAM
JESD-609 Kodu
e1
Write Cycle Time Word Page
45ns

İlgili Ürünler

  • Microchip Technology

    11AA010-I/MS

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/P

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/SN

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/TO

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/MNY

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/MS

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/SN

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/TT

    Memory
  • Hızlı Teslimat

    Stoktan aynı gün hazırlık ve sevkiyat

    Orijinal Ürün

    Yetkili kaynaklardan tedarik

    Datasheet

    Parça için teknik doküman erişimi

    Teknik Destek

    Satış öncesi ve sonrası uzman destek