Adet bazlı fiyat
- 1+ adet$0.34
- 10+ adet$0.32
- 100+ adet$0.30
- 500+ adet$0.28
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Word Size
- 16b
- Operating Supply Voltage
- 3V
- Memory Width
- 16
- Standby Currentmax
- 0.000003A
- Memory Format
- SRAM
- Address Bus Width
- 17b
- Pin Sayısı
- 48
- Parça Durumu
- Active
- Memory Interface
- Parallel
- Terminal Adımı
- 0.75mm
- Number Of Ports
- 1
- Supply Voltagemin Vsup
- 2.2V
- Kurşunsuz
- Lead Free
- Ambalaj
- Tray
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- 30
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 260
- Supply Voltagemax Vsup
- 3.6V
- Yayın Yılı
- 2001
- Nominal Supply Current
- 20mA
- Density
- 2 Mb
- Seri
- MoBL®
- Max Frequency
- 22MHz
- Terminal Pozisyonu
- BOTTOM
- Temel Parça No
- CY62136
- Standby Voltagemin
- 1V
- JESD-609 Kodu
- e1
- Write Cycle Time Word Page
- 45ns
- Memory Types
- Volatile
- Access Time Max
- 45 ns
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- Besleme Gerilimi
- 2.2V~3.6V
- Besleme Gerilimi
- 3V
- Output Characteristics
- 3-STATE
- Çalışma Sıcaklığı
- -40°C~85°C TA
- Kurşunsuz Kodu
- yes
- Terminal Sayısı
- 48
- Memory Size
- 2Mb 128K x 16
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 3 (168 Hours)
- Io Type
- COMMON
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory