Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 3 (168 Hours)
- Write Cycle Time Word Page
- 45ns
- Syncasync
- Asynchronous
- Parça Durumu
- Active
- Kurşunsuz Kodu
- yes
- Besleme Gerilimi
- 3V
- Terminal Sayısı
- 32
- Address Bus Width
- 17b
- Memory Width
- 8
- Yayın Yılı
- 2003
- Terminal Pozisyonu
- DUAL
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- Number Of Ports
- 1
- Temel Parça No
- CY62128
- Memory Format
- SRAM
- Çalışma Sıcaklığı
- -40°C~85°C TA
- Memory Types
- Volatile
- Word Size
- 8b
- Io Type
- COMMON
- Output Characteristics
- 3-STATE
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Memory Interface
- Parallel
- Frekans
- 45GHz
- Access Time Max
- 45 ns
- Supply Voltagemin Vsup
- 2.2V
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Density
- 1 Mb
- Nominal Supply Current
- 16mA
- Pin Sayısı
- 32
- Standby Currentmax
- 0.000003A
- Supply Voltagemax Vsup
- 3.6V
- JESD-609 Kodu
- e3
- ECCN Kodu
- EAR99
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 260
- Seri
- MoBL®
- Besleme Gerilimi
- 2.2V~3.6V
- Terminal Adımı
- 0.5mm
- Memory Size
- 1Mb 128K x 8
- Montaj
- Surface Mount
- Radyasyon Dayanımı
- No
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory