Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Memory Types
- Volatile
- Çalışma Sıcaklığı
- -40°C~125°C TA
- Memory Format
- SRAM
- Word Size
- 16b
- Pin Sayısı
- 44
- Temel Parça No
- CY62126
- Memory Interface
- Parallel
- Output Characteristics
- 3-STATE
- Io Type
- COMMON
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Syncasync
- Asynchronous
- Parça Durumu
- Active
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- 30
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 3 (168 Hours)
- Write Cycle Time Word Page
- 55ns
- Address Bus Width
- 16b
- Memory Width
- 16
- Yayın Yılı
- 1998
- Terminal Pozisyonu
- DUAL
- Number Of Ports
- 1
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- Besleme Gerilimi
- 3V
- Terminal Sayısı
- 44
- Radyasyon Dayanımı
- No
- Terminal Kaplaması
- Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
- Besleme Gerilimi
- 2.2V~3.6V
- Seri
- MoBL®
- Memory Size
- 1Mb 64K x 16
- Terminal Adımı
- 0.8mm
- Montaj
- Surface Mount
- Ambalaj
- Tube
- Kılıf / Paket
- 44-TSOP (0.400, 10.16mm Width)
- Operating Supply Voltage
- 3V
- Fabrika Tedarik Süresi
- 18 Weeks
- Kurşunsuz
- Lead Free
- Nominal Supply Current
- 35mA
- Density
- 1 Mb
- Pin Sayısı
- 44
- Access Time Max
- 55 ns
- Supply Voltagemin Vsup
- 2.2V
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory