Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Supply Voltagemax Vsup
- 3.6V
- JESD-609 Kodu
- e4
- ECCN Kodu
- EAR99
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 260
- Standby Currentmax
- 0.00003A
- Density
- 1 Mb
- Nominal Supply Current
- 16mA
- Pin Sayısı
- 44
- Max Supply Current
- 16mA
- Access Time Max
- 45 ns
- Supply Voltagemin Vsup
- 2.2V
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Ambalaj
- Tray
- Kılıf / Paket
- 44-TSOP (0.400, 10.16mm Width)
- Fabrika Tedarik Süresi
- 18 Weeks
- Operating Supply Voltage
- 3V
- Kurşunsuz
- Lead Free
- Radyasyon Dayanımı
- No
- Terminal Kaplaması
- Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
- Seri
- MoBL®
- Besleme Gerilimi
- 2.2V~3.6V
- Terminal Adımı
- 0.8mm
- Memory Size
- 1Mb 64K x 16
- Montaj
- Surface Mount
- Address Bus Width
- 16b
- Yayın Yılı
- 1998
- Terminal Pozisyonu
- DUAL
- Memory Width
- 16
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- Number Of Ports
- 1
- Besleme Gerilimi
- 3V
- Terminal Sayısı
- 44
- Syncasync
- Asynchronous
- Parça Durumu
- Active
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 3 (168 Hours)
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- 30
- Write Cycle Time Word Page
- 45ns
- Memory Interface
- Parallel
- Io Type
- COMMON
- Output Characteristics
- 3-STATE
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory