Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Organization
- 512X8
- Yayın Yılı
- 2017
- Memory Interface
- SPI
- Supply Voltagemax Vsup
- 3.6V
- Memory Width
- 8
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 3 (168 Hours)
- Terminal Adımı
- 1.27mm
- Jesd30 Code
- R-PDSO-G8
- Kılıf / Paket
- 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Seri
- Automotive, AEC-Q100, F-RAM™
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Terminal Pozisyonu
- DUAL
- Memory Size
- 4Kb 512 x 8
- HTS Kodu
- 8542.32.00.71
- Fabrika Tedarik Süresi
- 6 Weeks
- Memory Format
- FRAM
- Yüzey Montaj
- YES
- Operating Mode
- SYNCHRONOUS
- Memory Types
- Non-Volatile
- Terminal Sayısı
- 8
- ECCN Kodu
- EAR99
- Parça Durumu
- Active
- Besleme Gerilimi
- 3.3V
- Clock Frequency
- 16MHz
- Maks. Oturma Yüksekliği
- 1.727mm
- Besleme Gerilimi
- 3V~3.6V
- Ambalaj
- Tube
- Memory Density
- 4096 bit
- Kurşunsuz Kodu
- yes
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- NOT SPECIFIED
- Usage Level
- Automotive grade
- Çalışma Sıcaklığı
- -40°C~125°C TA
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- NOT SPECIFIED
- Supply Voltagemin Vsup
- 3V
- Genişlik
- 3.8985mm
- Uzunluk
- 4.889mm
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory