+90 533 300 32 01
C3 ChipZentronix
CY14V104NA-BA25XI

Cypress Semiconductor Corp

CY14V104NA-BA25XI

Memory

RoHS: Compliant

Fiyat için teklif alın

Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.

Teknik özet (PDF)

Sevkiyat

Stoktan aynı gün hazırlık

Orijinal ürün

Doğrulanmış tedarik

RoHS

Compliant

Destek

Teknik ekip desteği

Teknik Özellikler

Uzunluk
10mm
Supply Voltagemin Vsup
3V
Çalışma Sıcaklığı
-40°C~85°C TA
Nominal Supply Current
70mA
Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
260
Fonksiyon Sayısı
1
Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
30
Temel Parça No
CY14V104
Maks. Oturma Yüksekliği
1.2mm
Ambalaj
Tray
Besleme Gerilimi
2.7V~3.6V
Besleme Gerilimi
3.3V
Parça Durumu
Active
ECCN Kodu
3A991.B.2.A
Write Cycle Time Word Page
25ns
Terminal Sayısı
48
Memory Types
Non-Volatile
Access Time Max
25 ns
Memory Format
NVSRAM
Fabrika Tedarik Süresi
10 Weeks
Standby Currentmax
0.008A
HTS Kodu
8542.32.00.41
Memory Size
4Mb 256K x 16
Terminal Pozisyonu
BOTTOM
Word Size
16b
Montaj Tipi
Surface Mount
Kılıf / Paket
48-TFBGA
RoHS Durumu
ROHS3 Compliant
Terminal Kaplaması
Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
Terminal Adımı
0.75mm
Radyasyon Dayanımı
No
Data Bus Width
16b
Nem Hassasiyeti (MSL)
3 (168 Hours)
Pin Sayısı
48
Memory Width
16
Supply Voltagemax Vsup
3.6V
Memory Interface
Parallel
Yayın Yılı
2007
Density
4 Mb
Organization
256KX16

İlgili Ürünler

  • Microchip Technology

    11AA010-I/MS

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/P

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/SN

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/TO

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/MNY

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/MS

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/SN

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/TT

    Memory
  • Hızlı Teslimat

    Stoktan aynı gün hazırlık ve sevkiyat

    Orijinal Ürün

    Yetkili kaynaklardan tedarik

    Datasheet

    Parça için teknik doküman erişimi

    Teknik Destek

    Satış öncesi ve sonrası uzman destek