+90 533 300 32 01
C3 ChipZentronix
CY14V104LA-BA45XI

Cypress Semiconductor Corp

CY14V104LA-BA45XI

Memory

RoHS: Compliant

Fiyat için teklif alın

Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.

Teknik özet (PDF)

Sevkiyat

Stoktan aynı gün hazırlık

Orijinal ürün

Doğrulanmış tedarik

RoHS

Compliant

Destek

Teknik ekip desteği

Teknik Özellikler

Uzunluk
10mm
Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
260
Nominal Supply Current
52mA
Çalışma Sıcaklığı
-40°C~85°C TA
Supply Voltagemin Vsup
3V
Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
30
Fonksiyon Sayısı
1
Temel Parça No
CY14V104
Parça Durumu
Active
Besleme Gerilimi
3.3V
ECCN Kodu
3A991.B.2.A
Besleme Gerilimi
2.7V~3.6V
Ambalaj
Tray
Maks. Oturma Yüksekliği
1.2mm
Memory Types
Non-Volatile
Access Time Max
45 ns
Write Cycle Time Word Page
45ns
Terminal Sayısı
48
Memory Format
NVSRAM
Fabrika Tedarik Süresi
10 Weeks
Word Size
8b
Terminal Pozisyonu
BOTTOM
Standby Currentmax
0.008A
HTS Kodu
8542.32.00.41
Memory Size
4Mb 512K x 8
Montaj Tipi
Surface Mount
Terminal Kaplaması
Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
RoHS Durumu
ROHS3 Compliant
Kılıf / Paket
48-TFBGA
Data Bus Width
8b
Supply Voltagemax Vsup
3.6V
Memory Width
8
Pin Sayısı
48
Nem Hassasiyeti (MSL)
3 (168 Hours)
Radyasyon Dayanımı
No
Terminal Adımı
0.75mm
Memory Interface
Parallel
Density
4 Mb
Yayın Yılı
2007
Operating Supply Voltage
3.3V

İlgili Ürünler

  • Microchip Technology

    11AA010-I/MS

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/P

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/SN

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/TO

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/MNY

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/MS

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/SN

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/TT

    Memory
  • Hızlı Teslimat

    Stoktan aynı gün hazırlık ve sevkiyat

    Orijinal Ürün

    Yetkili kaynaklardan tedarik

    Datasheet

    Parça için teknik doküman erişimi

    Teknik Destek

    Satış öncesi ve sonrası uzman destek