Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Besleme Gerilimi
- 2.7V~3.6V
- Pin Sayısı
- 48
- Organization
- 32KX8
- Uzunluk
- 10mm
- Operating Mode
- ASYNCHRONOUS
- Terminal Pozisyonu
- BOTTOM
- Yayın Yılı
- 2009
- Write Cycle Time Word Page
- 35ns
- Operating Supply Voltage
- 3V
- Memory Size
- 256Kb 32K x 8
- Data Bus Width
- 8b
- ECCN Kodu
- 3A991.B.2.A
- Maks. Oturma Yüksekliği
- 1.2mm
- Memory Interface
- Parallel
- Terminal Sayısı
- 48
- Memory Width
- 8
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- NOT SPECIFIED
- Contact Plating
- Copper, Silver, Tin
- Besleme Gerilimi
- 3V
- Nominal Supply Current
- 60mA
- Ambalaj
- Tray
- Density
- 256 kb
- Memory Format
- NVSRAM
- HTS Kodu
- 8542.32.00.41
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Terminal Adımı
- 0.75mm
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 3 (168 Hours)
- Supply Voltagemax Vsup
- 3.6V
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Memory Types
- Non-Volatile
- Parça Durumu
- Active
- Word Size
- 8b
- Montaj
- Surface Mount
- Kılıf / Paket
- 48-TFBGA
- Supply Voltagemin Vsup
- 2.7V
- Çalışma Sıcaklığı
- -40°C~85°C TA
- Fabrika Tedarik Süresi
- 16 Weeks
- Access Time Max
- 35 ns
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- NOT SPECIFIED
- Fonksiyon Sayısı
- 1
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory