Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Nominal Supply Current
- 52mA
- Density
- 256 kb
- Memory Format
- NVSRAM
- Ambalaj
- Tape & Reel (TR)
- Kurşunsuz
- Lead Free
- Contact Plating
- Gold, Tin
- Besleme Gerilimi
- 3V
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- NOT SPECIFIED
- Memory Width
- 8
- Terminal Sayısı
- 32
- Maks. Oturma Yüksekliği
- 2.54mm
- ECCN Kodu
- EAR99
- Data Bus Width
- 8b
- Memory Size
- 256Kb 32K x 8
- Terminal Kaplaması
- Matte Tin (Sn)
- Operating Supply Voltage
- 3V
- Temel Parça No
- CY14*256
- Memory Interface
- Parallel
- Pin Sayısı
- 32
- Besleme Gerilimi
- 2.7V~3.6V
- Write Cycle Time Word Page
- 45ns
- Qualification Status
- Not Qualified
- Yayın Yılı
- 2009
- Terminal Pozisyonu
- DUAL
- Operating Mode
- ASYNCHRONOUS
- Uzunluk
- 20.726mm
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- NOT SPECIFIED
- Access Time Max
- 45 ns
- JESD-609 Kodu
- e3
- Kılıf / Paket
- 32-SOIC (0.295, 7.50mm Width)
- Fabrika Tedarik Süresi
- 13 Weeks
- Supply Voltagemin Vsup
- 2.7V
- Çalışma Sıcaklığı
- -40°C~85°C TA
- Parça Durumu
- Active
- Memory Types
- Non-Volatile
- Montaj
- Surface Mount
- Word Size
- 8b
- Standby Currentmax
- 0.005A
- Terminal Adımı
- 1.27mm
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory