+90 533 300 32 01
C3 ChipZentronix
CY14B116N-Z30XI

Cypress Semiconductor Corp

CY14B116N-Z30XI

Memory

RoHS: Compliant

Fiyat için teklif alın

Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.

Teknik özet (PDF)

Sevkiyat

Stoktan aynı gün hazırlık

Orijinal ürün

Doğrulanmış tedarik

RoHS

Compliant

Destek

Teknik ekip desteği

Teknik Özellikler

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
NOT SPECIFIED
Access Time Max
30 ns
Fonksiyon Sayısı
1
Fabrika Tedarik Süresi
8 Weeks
Supply Voltagemin Vsup
2.7V
Çalışma Sıcaklığı
-40°C~85°C TA
Kılıf / Paket
48-TFSOP (0.724, 18.40mm Width)
Montaj
Surface Mount
Parça Durumu
Active
Memory Types
Non-Volatile
RoHS Durumu
ROHS3 Compliant
Supply Voltagemax Vsup
3.6V
Nem Hassasiyeti (MSL)
3 (168 Hours)
HTS Kodu
8542.32.00.41
Terminal Adımı
0.5mm
Montaj Tipi
Surface Mount
Memory Format
NVSRAM
Density
16 Mb
Ambalaj
Tray
Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
NOT SPECIFIED
Memory Width
16
Terminal Sayısı
48
Contact Plating
Gold
Besleme Gerilimi
3V
Memory Interface
Parallel
Operating Supply Voltage
3V
Maks. Oturma Yüksekliği
1.2mm
ECCN Kodu
3A991.B.2.B
Data Bus Width
16b
Memory Size
16Mb 1M x 16
Yayın Yılı
2014
Terminal Pozisyonu
DUAL
Operating Mode
ASYNCHRONOUS
Uzunluk
18.4mm
Organization
1MX16
Write Cycle Time Word Page
30ns
Besleme Gerilimi
2.7V~3.6V
Pin Sayısı
48

İlgili Ürünler

  • Microchip Technology

    11AA010-I/MS

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/P

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/SN

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/TO

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/MNY

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/MS

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/SN

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/TT

    Memory
  • Hızlı Teslimat

    Stoktan aynı gün hazırlık ve sevkiyat

    Orijinal Ürün

    Yetkili kaynaklardan tedarik

    Datasheet

    Parça için teknik doküman erişimi

    Teknik Destek

    Satış öncesi ve sonrası uzman destek