+90 533 300 32 01
C3 ChipZentronix

Cypress Semiconductor Corp

CY14B116N-BA25XI

Memory

RoHS: Compliant

Fiyat için teklif alın

Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.

Teknik özet (PDF)

Sevkiyat

Stoktan aynı gün hazırlık

Orijinal ürün

Doğrulanmış tedarik

RoHS

Compliant

Destek

Teknik ekip desteği

Teknik Özellikler

Montaj Tipi
Surface Mount
Terminal Adımı
0.75mm
HTS Kodu
8542.90.00.00
Nem Hassasiyeti (MSL)
3 (168 Hours)
Supply Voltagemax Vsup
3.6V
RoHS Durumu
ROHS3 Compliant
Memory Types
Non-Volatile
Genişlik
10mm
Parça Durumu
Active
Kılıf / Paket
60-LFBGA
Supply Voltagemin Vsup
2.7V
Çalışma Sıcaklığı
-40°C~85°C TA
Fabrika Tedarik Süresi
26 Weeks
Fonksiyon Sayısı
1
Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
NOT SPECIFIED
Access Time Max
25 ns
Yüzey Montaj
YES
Besleme Gerilimi
2.7V~3.6V
Jesd30 Code
R-PBGA-B60
Write Cycle Time Word Page
25ns
Organization
1MX16
Uzunluk
18mm
Operating Mode
ASYNCHRONOUS
Terminal Pozisyonu
BOTTOM
Maks. Oturma Yüksekliği
1.2mm
ECCN Kodu
3A991.A.2
Memory Size
16Mb 1M x 16
Memory Interface
Parallel
Memory Density
16777216 bit
Besleme Gerilimi
3V
Terminal Sayısı
60
Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
NOT SPECIFIED
Memory Width
16
Ambalaj
Tray
Memory Format
NVSRAM

İlgili Ürünler

  • Microchip Technology

    11AA010-I/MS

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/P

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/SN

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/TO

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/MNY

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/MS

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/SN

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/TT

    Memory
  • Hızlı Teslimat

    Stoktan aynı gün hazırlık ve sevkiyat

    Orijinal Ürün

    Yetkili kaynaklardan tedarik

    Datasheet

    Parça için teknik doküman erişimi

    Teknik Destek

    Satış öncesi ve sonrası uzman destek