Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Contact Plating
- Gold
- Besleme Gerilimi
- 3V
- Terminal Sayısı
- 44
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 260
- Memory Width
- 8
- Nominal Supply Current
- 95mA
- Ambalaj
- Tray
- Memory Format
- NVSRAM
- Density
- 16 Mb
- Pin Sayısı
- 44
- Besleme Gerilimi
- 2.7V~3.6V
- Write Cycle Time Word Page
- 25ns
- Organization
- 2MX8
- Uzunluk
- 18.415mm
- Operating Mode
- ASYNCHRONOUS
- Terminal Pozisyonu
- DUAL
- Yayın Yılı
- 2005
- Qualification Status
- Not Qualified
- Memory Size
- 16Mb 2M x 8
- Terminal Kaplaması
- Matte Tin (Sn)
- Data Bus Width
- 8b
- ECCN Kodu
- 3A991.B.2.B
- Maks. Oturma Yüksekliği
- 1.194mm
- Operating Supply Voltage
- 3V
- Memory Interface
- Parallel
- Kılıf / Paket
- 44-TSOP (0.400, 10.16mm Width)
- Supply Voltagemin Vsup
- 2.7V
- Çalışma Sıcaklığı
- -40°C~85°C TA
- Fabrika Tedarik Süresi
- 26 Weeks
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- Access Time Max
- 25 ns
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- 30
- JESD-609 Kodu
- e3
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Terminal Adımı
- 0.8mm
- HTS Kodu
- 8542.32.00.41
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 3 (168 Hours)
- Supply Voltagemax Vsup
- 3.6V
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Memory Types
- Non-Volatile
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory