+90 533 300 32 01
C3 ChipZentronix
CY14B108N-ZSP25XI

Cypress Semiconductor Corp

CY14B108N-ZSP25XI

Memory

RoHS: Compliant

Fiyat için teklif alın

Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.

Teknik özet (PDF)

Sevkiyat

Stoktan aynı gün hazırlık

Orijinal ürün

Doğrulanmış tedarik

RoHS

Compliant

Destek

Teknik ekip desteği

Teknik Özellikler

Memory Interface
Parallel
Temel Parça No
CY14B108
Operating Supply Voltage
3V
Data Bus Width
16b
Memory Size
8Mb 512K x 16
ECCN Kodu
3A991.B.2.A
Logic Function
Clock
Maks. Oturma Yüksekliği
1.2mm
Organization
512KX16
Uzunluk
22.415mm
Yayın Yılı
2007
Terminal Pozisyonu
DUAL
Write Cycle Time Word Page
25ns
Besleme Gerilimi
2.7V~3.6V
Pin Sayısı
54
Kurşunsuz
Lead Free
Ambalaj
Tray
Memory Format
NVSRAM
Density
8 Mb
Nominal Supply Current
75mA
Time Format
HH:MM:SS
Terminal Sayısı
54
Memory Width
16
Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
260
Contact Plating
Tin
Besleme Gerilimi
3V
Standby Currentmax
0.01A
Word Size
16b
Montaj
Surface Mount
Memory Types
Non-Volatile
Parça Durumu
Active
Nem Hassasiyeti (MSL)
3 (168 Hours)
Supply Voltagemax Vsup
3.6V
RoHS Durumu
ROHS3 Compliant
Pin Sayısı
54
Montaj Tipi
Surface Mount
Terminal Adımı
0.8mm
JESD-609 Kodu
e3
Access Time Max
25 ns
Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
30

İlgili Ürünler

  • Microchip Technology

    11AA010-I/MS

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/P

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/SN

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/TO

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/MNY

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/MS

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/SN

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/TT

    Memory
  • Hızlı Teslimat

    Stoktan aynı gün hazırlık ve sevkiyat

    Orijinal Ürün

    Yetkili kaynaklardan tedarik

    Datasheet

    Parça için teknik doküman erişimi

    Teknik Destek

    Satış öncesi ve sonrası uzman destek