Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- JESD-609 Kodu
- e3
- Access Time Max
- 25 ns
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- 30
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- Fabrika Tedarik Süresi
- 12 Weeks
- Supply Voltagemin Vsup
- 2.7V
- Çalışma Sıcaklığı
- -40°C~85°C TA
- Kılıf / Paket
- 54-TSOP (0.400, 10.16mm Width)
- Radyasyon Dayanımı
- No
- Word Size
- 16b
- Montaj
- Surface Mount
- Standby Currentmax
- 0.01A
- Parça Durumu
- Active
- Memory Types
- Non-Volatile
- Supply Voltagemax Vsup
- 3.6V
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Pin Sayısı
- 54
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 3 (168 Hours)
- Terminal Adımı
- 0.8mm
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Kurşunsuz
- Lead Free
- Density
- 8 Mb
- Memory Format
- NVSRAM
- Ambalaj
- Tray
- Nominal Supply Current
- 75mA
- Time Format
- HH:MM:SS
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 260
- Memory Width
- 16
- Terminal Sayısı
- 54
- Besleme Gerilimi
- 3V
- Contact Plating
- Tin
- Memory Interface
- Parallel
- Temel Parça No
- CY14B108
- Operating Supply Voltage
- 3V
- Memory Size
- 8Mb 512K x 16
- Data Bus Width
- 16b
- ECCN Kodu
- 3A991.B.2.A
- Logic Function
- Clock
- Maks. Oturma Yüksekliği
- 1.2mm
- Terminal Pozisyonu
- DUAL
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory