+90 533 300 32 01
C3 ChipZentronix
CY14B108L-BA25XI

Cypress Semiconductor Corp

CY14B108L-BA25XI

Memory

RoHS: Compliant

Fiyat için teklif alın

Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.

Teknik özet (PDF)

Sevkiyat

Stoktan aynı gün hazırlık

Orijinal ürün

Doğrulanmış tedarik

RoHS

Compliant

Destek

Teknik ekip desteği

Teknik Özellikler

Fabrika Tedarik Süresi
16 Weeks
Çalışma Sıcaklığı
-40°C~85°C TA
Supply Voltagemin Vsup
2.7V
Kılıf / Paket
48-TFBGA
Radyasyon Dayanımı
No
JESD-609 Kodu
e1
Fonksiyon Sayısı
1
Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
30
Access Time Max
25 ns
Supply Voltagemax Vsup
3.6V
RoHS Durumu
ROHS3 Compliant
Pin Sayısı
48
Nem Hassasiyeti (MSL)
3 (168 Hours)
Terminal Adımı
0.75mm
Montaj Tipi
Surface Mount
HTS Kodu
8542.32.00.41
Montaj
Surface Mount
Word Size
8b
Standby Currentmax
0.01A
Parça Durumu
Active
Memory Types
Non-Volatile
Time Format
HH:MM:SS
Besleme Gerilimi
3V
Contact Plating
Copper, Silver, Tin
Memory Width
8
Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
260
Terminal Sayısı
48
Density
8 Mb
Memory Format
NVSRAM
Ambalaj
Tray
Kurşunsuz
Lead Free
Nominal Supply Current
75mA
Write Cycle Time Word Page
25ns
Yayın Yılı
2007
Terminal Pozisyonu
BOTTOM
Uzunluk
10mm
Organization
1MX8
Pin Sayısı
48
Besleme Gerilimi
2.7V~3.6V
Temel Parça No
CY14B108

İlgili Ürünler

  • Microchip Technology

    11AA010-I/MS

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/P

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/SN

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/TO

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/MNY

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/MS

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/SN

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/TT

    Memory
  • Hızlı Teslimat

    Stoktan aynı gün hazırlık ve sevkiyat

    Orijinal Ürün

    Yetkili kaynaklardan tedarik

    Datasheet

    Parça için teknik doküman erişimi

    Teknik Destek

    Satış öncesi ve sonrası uzman destek