+90 533 300 32 01
C3 ChipZentronix
CY14B104NA-ZS25XI

Cypress Semiconductor Corp

CY14B104NA-ZS25XI

Memory

RoHS: Compliant

Fiyat için teklif alın

Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.

Teknik özet (PDF)

Sevkiyat

Stoktan aynı gün hazırlık

Orijinal ürün

Doğrulanmış tedarik

RoHS

Compliant

Destek

Teknik ekip desteği

Teknik Özellikler

Memory Interface
Parallel
Operating Supply Voltage
3V
Memory Size
4Mb 256K x 16
ECCN Kodu
3A991.B.2.A
Terminal Kaplaması
Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
Yayın Yılı
2011
Organization
256KX16
Uzunluk
18.52mm
Operating Mode
ASYNCHRONOUS
Write Cycle Time Word Page
25ns
Max Power Dissipation
1W
Kurşunsuz
Lead Free
Ambalaj
Tray
Nominal Supply Current
70mA
Contact Plating
Gold, Tin
Word Size
16b
Standby Currentmax
0.005A
Parça Durumu
Active
Memory Types
Non-Volatile
Pin Sayısı
44
RoHS Durumu
ROHS3 Compliant
Yükseklik
1.044mm
Terminal Adımı
0.8mm
Access Time Max
25 ns
Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
30
Fonksiyon Sayısı
1
Supply Voltagemin Vsup
2.7V
Çalışma Sıcaklığı
-40°C~85°C TA
Temel Parça No
CY14B104
Data Bus Width
16b
Qualification Status
Not Qualified
Terminal Pozisyonu
DUAL
Besleme Gerilimi
2.7V~3.6V
Pin Sayısı
44
Density
4 Mb
Memory Format
NVSRAM
Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
260
Terminal Sayısı
44
Besleme Gerilimi
3V
Montaj
Surface Mount

İlgili Ürünler

  • Microchip Technology

    11AA010-I/MS

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/P

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/SN

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/TO

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/MNY

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/MS

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/SN

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/TT

    Memory
  • Hızlı Teslimat

    Stoktan aynı gün hazırlık ve sevkiyat

    Orijinal Ürün

    Yetkili kaynaklardan tedarik

    Datasheet

    Parça için teknik doküman erişimi

    Teknik Destek

    Satış öncesi ve sonrası uzman destek