Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Nominal Supply Current
- 70mA
- Memory Format
- NVSRAM
- Density
- 4 Mb
- Ambalaj
- Tray
- Kurşunsuz
- Lead Free
- Contact Plating
- Gold, Tin
- Besleme Gerilimi
- 3V
- Memory Width
- 16
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 260
- Kurşunsuz Kodu
- yes
- Terminal Sayısı
- 44
- ECCN Kodu
- 3A991.B.2.B
- Data Bus Width
- 16b
- Terminal Kaplaması
- Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
- Memory Size
- 4Mb 256K x 16
- Maks. Oturma Yüksekliği
- 1.194mm
- Operating Supply Voltage
- 3V
- Memory Interface
- Parallel
- Temel Parça No
- CY14B104
- Pin Sayısı
- 44
- Besleme Gerilimi
- 2.7V~3.6V
- Write Cycle Time Word Page
- 20ns
- Terminal Pozisyonu
- DUAL
- Yayın Yılı
- 2011
- Qualification Status
- Not Qualified
- Organization
- 256KX16
- Uzunluk
- 18.415mm
- Operating Mode
- ASYNCHRONOUS
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- Access Time Max
- 20 ns
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- 30
- JESD-609 Kodu
- e4
- Kılıf / Paket
- 44-TSOP (0.400, 10.16mm Width)
- Fabrika Tedarik Süresi
- 6 Weeks
- Supply Voltagemin Vsup
- 2.7V
- Çalışma Sıcaklığı
- -40°C~85°C TA
- Parça Durumu
- Active
- Memory Types
- Non-Volatile
- Word Size
- 16b
- Montaj
- Surface Mount
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory