Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Density
- 4 Mb
- Memory Format
- NVSRAM
- Ambalaj
- Tray
- Nominal Supply Current
- 52mA
- Besleme Gerilimi
- 3V
- Contact Plating
- Copper, Silver, Tin
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 260
- Memory Width
- 16
- Terminal Sayısı
- 48
- Temel Parça No
- CY14B104
- Memory Interface
- Parallel
- Maks. Oturma Yüksekliği
- 1.2mm
- ECCN Kodu
- 3A991.B.2.A
- Data Bus Width
- 16b
- Memory Size
- 4Mb 256K x 16
- Terminal Kaplaması
- Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
- Operating Supply Voltage
- 3V
- Write Cycle Time Word Page
- 45ns
- Yayın Yılı
- 2011
- Terminal Pozisyonu
- BOTTOM
- Uzunluk
- 10mm
- Organization
- 256KX16
- Pin Sayısı
- 48
- Besleme Gerilimi
- 2.7V~3.6V
- JESD-609 Kodu
- e1
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- 30
- Access Time Max
- 45 ns
- Fabrika Tedarik Süresi
- 12 Weeks
- Çalışma Sıcaklığı
- -40°C~85°C TA
- Supply Voltagemin Vsup
- 2.7V
- Kılıf / Paket
- 48-TFBGA
- Radyasyon Dayanımı
- No
- Montaj
- Surface Mount
- Word Size
- 16b
- Standby Currentmax
- 0.005A
- Parça Durumu
- Active
- Memory Types
- Non-Volatile
- Pin Sayısı
- 48
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory