+90 533 300 32 01
C3 ChipZentronix
CY14B104NA-BA20XI

Cypress Semiconductor Corp

CY14B104NA-BA20XI

Memory

RoHS: Compliant

Fiyat için teklif alın

Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.

Teknik özet (PDF)

Sevkiyat

Stoktan aynı gün hazırlık

Orijinal ürün

Doğrulanmış tedarik

RoHS

Compliant

Destek

Teknik ekip desteği

Teknik Özellikler

Parça Durumu
Active
Memory Types
Non-Volatile
Word Size
16b
Montaj
Surface Mount
Standby Currentmax
0.005A
HTS Kodu
8542.32.00.41
Terminal Adımı
0.75mm
Montaj Tipi
Surface Mount
Supply Voltagemax Vsup
3.6V
RoHS Durumu
ROHS3 Compliant
Pin Sayısı
48
Nem Hassasiyeti (MSL)
3 (168 Hours)
Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
30
Access Time Max
20 ns
Fonksiyon Sayısı
1
JESD-609 Kodu
e1
Kılıf / Paket
48-TFBGA
Fabrika Tedarik Süresi
16 Weeks
Çalışma Sıcaklığı
-40°C~85°C TA
Supply Voltagemin Vsup
2.7V
Operating Supply Voltage
3V
Maks. Oturma Yüksekliği
1.2mm
Logic Function
Clock
Terminal Kaplaması
Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
Memory Size
4Mb 256K x 16
Data Bus Width
16b
ECCN Kodu
3A991.B.2.B
Temel Parça No
CY14B104
Memory Interface
Parallel
Besleme Gerilimi
2.7V~3.6V
Pin Sayısı
48
Qualification Status
Not Qualified
Yayın Yılı
2006
Terminal Pozisyonu
BOTTOM
Operating Mode
ASYNCHRONOUS
Uzunluk
10mm
Organization
256KX16
Write Cycle Time Word Page
20ns
Nominal Supply Current
70mA
Density
4 Mb

İlgili Ürünler

  • Microchip Technology

    11AA010-I/MS

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/P

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/SN

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/TO

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/MNY

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/MS

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/SN

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/TT

    Memory
  • Hızlı Teslimat

    Stoktan aynı gün hazırlık ve sevkiyat

    Orijinal Ürün

    Yetkili kaynaklardan tedarik

    Datasheet

    Parça için teknik doküman erişimi

    Teknik Destek

    Satış öncesi ve sonrası uzman destek