Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- 30
- Access Time Max
- 45 ns
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- JESD-609 Kodu
- e3
- Radyasyon Dayanımı
- No
- Kılıf / Paket
- 54-TSOP (0.400, 10.16mm Width)
- Çalışma Sıcaklığı
- -40°C~85°C TA
- Supply Voltagemin Vsup
- 2.7V
- Fabrika Tedarik Süresi
- 12 Weeks
- Memory Types
- Non-Volatile
- Parça Durumu
- Active
- Standby Currentmax
- 0.005A
- Montaj
- Surface Mount
- Word Size
- 16b
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Terminal Adımı
- 0.8mm
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 3 (168 Hours)
- Pin Sayısı
- 54
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Supply Voltagemax Vsup
- 3.6V
- Nominal Supply Current
- 52mA
- Max Power Dissipation
- 1W
- Ambalaj
- Tray
- Density
- 4 Mb
- Memory Format
- NVSRAM
- Terminal Sayısı
- 54
- Memory Width
- 16
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 260
- Besleme Gerilimi
- 3V
- Contact Plating
- Tin
- Time Format
- HH:MM:SS
- Operating Supply Voltage
- 3.3V
- Maks. Oturma Yüksekliği
- 1.2mm
- Logic Function
- Clock
- ECCN Kodu
- 3A991.B.2.A
- Data Bus Width
- 16b
- Memory Size
- 4Mb 256K x 16
- Memory Interface
- Parallel
- Temel Parça No
- CY14B104
- Besleme Gerilimi
- 2.7V~3.6V
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory