Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Kurşunsuz Kodu
- yes
- Terminal Sayısı
- 8
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 260
- Memory Width
- 8
- Besleme Gerilimi
- 3V
- Contact Plating
- Gold, Tin
- Kurşunsuz
- Lead Free
- Max Power Dissipation
- 1W
- Ambalaj
- Tube
- Density
- 1 Mb
- Memory Format
- NVSRAM
- Nominal Supply Current
- 3mA
- Yayın Yılı
- 2008
- Terminal Pozisyonu
- DUAL
- Besleme Gerilimi
- 2.7V~3.6V
- Pin Sayısı
- 8
- Temel Parça No
- CY14B101
- Memory Interface
- SPI
- Operating Supply Voltage
- 3.3V
- Maks. Oturma Yüksekliği
- 1.727mm
- ECCN Kodu
- 3A991.B.2.A
- Data Bus Width
- 8b
- Memory Size
- 1Mb 128K x 8
- Terminal Kaplaması
- Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
- Çalışma Sıcaklığı
- -40°C~85°C TA
- Supply Voltagemin Vsup
- 2.7V
- Fabrika Tedarik Süresi
- 6 Weeks
- Radyasyon Dayanımı
- No
- Access Time
- 9 ns
- Kılıf / Paket
- 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- JESD-609 Kodu
- e4
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- 30
- Interface
- SPI, Serial
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 3 (168 Hours)
- Pin Sayısı
- 8
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Supply Voltagemax Vsup
- 3.6V
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Terminal Adımı
- 1.27mm
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory