Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Besleme Gerilimi
- 3V
- Memory Width
- 8
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 260
- Terminal Sayısı
- 44
- Memory Format
- NVSRAM
- Density
- 1 Mb
- Terminal Pozisyonu
- DUAL
- Pin Sayısı
- 44
- Besleme Gerilimi
- 2.7V~3.6V
- Temel Parça No
- CY14B101
- Data Bus Width
- 8b
- Fabrika Tedarik Süresi
- 13 Weeks
- Kılıf / Paket
- 44-TSOP (0.400, 10.16mm Width)
- JESD-609 Kodu
- e4
- Supply Voltagemax Vsup
- 3.6V
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 3 (168 Hours)
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- HTS Kodu
- 8542.32.00.41
- Montaj
- Surface Mount
- Time Format
- HH:MM:SS
- Contact Plating
- Gold, Tin
- Ambalaj
- Tray
- Max Power Dissipation
- 1W
- Kurşunsuz
- Lead Free
- Nominal Supply Current
- 52mA
- Write Cycle Time Word Page
- 45ns
- Yayın Yılı
- 2009
- Organization
- 128KX8
- Uzunluk
- 18.415mm
- Memory Interface
- Parallel
- Terminal Kaplaması
- Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
- Logic Function
- Clock
- ECCN Kodu
- EAR99
- Memory Size
- 1Mb 128K x 8
- Maks. Oturma Yüksekliği
- 1.194mm
- Operating Supply Voltage
- 3V
- Supply Voltagemin Vsup
- 2.7V
- Çalışma Sıcaklığı
- -40°C~85°C TA
- Radyasyon Dayanımı
- No
- Fonksiyon Sayısı
- 1
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory