+90 533 300 32 01
C3 ChipZentronix
CY14B101LA-ZS25XI

Cypress Semiconductor Corp

CY14B101LA-ZS25XI

Memory

RoHS: Compliant

Fiyat için teklif alın

Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.

Teknik özet (PDF)

Sevkiyat

Stoktan aynı gün hazırlık

Orijinal ürün

Doğrulanmış tedarik

RoHS

Compliant

Destek

Teknik ekip desteği

Teknik Özellikler

Nominal Supply Current
70mA
Ambalaj
Tray
Contact Plating
Gold, Tin
Memory Size
1Mb 128K x 8
ECCN Kodu
EAR99
Terminal Kaplaması
Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
Operating Supply Voltage
3V
Memory Interface
Parallel
Write Cycle Time Word Page
25ns
Yayın Yılı
2009
Uzunluk
18.52mm
Organization
128KX8
Operating Supply Current
70mA
Fonksiyon Sayısı
1
Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
40
Access Time Max
25 ns
Radyasyon Dayanımı
No
Çalışma Sıcaklığı
-40°C~85°C TA
Supply Voltagemin Vsup
2.7V
Parça Durumu
Active
Memory Types
Non-Volatile
Word Size
8b
Standby Currentmax
0.005A
Terminal Adımı
0.8mm
RoHS Durumu
ROHS3 Compliant
Pin Sayısı
44
Yükseklik
1.044mm
Memory Format
NVSRAM
Density
1 Mb
Besleme Gerilimi
3V
Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
260
Kurşunsuz Kodu
yes
Terminal Sayısı
44
Data Bus Width
16b
Temel Parça No
CY14B101
Pin Sayısı
44
Besleme Gerilimi
2.7V~3.6V
Terminal Pozisyonu
DUAL
JESD-609 Kodu
e4
Kılıf / Paket
44-TSOP (0.400, 10.16mm Width)

İlgili Ürünler

  • Microchip Technology

    11AA010-I/MS

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/P

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/SN

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/TO

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/MNY

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/MS

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/SN

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/TT

    Memory
  • Hızlı Teslimat

    Stoktan aynı gün hazırlık ve sevkiyat

    Orijinal Ürün

    Yetkili kaynaklardan tedarik

    Datasheet

    Parça için teknik doküman erişimi

    Teknik Destek

    Satış öncesi ve sonrası uzman destek