Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Write Cycle Time Word Page
- 45ns
- Terminal Pozisyonu
- DUAL
- Yayın Yılı
- 2009
- Uzunluk
- 20.726mm
- Organization
- 128KX8
- Pin Sayısı
- 32
- Besleme Gerilimi
- 2.7V~3.6V
- Memory Interface
- Parallel
- Temel Parça No
- CY14B101
- Data Bus Width
- 8b
- Memory Size
- 1Mb 128K x 8
- Terminal Kaplaması
- Matte Tin (Sn)
- ECCN Kodu
- EAR99
- Maks. Oturma Yüksekliği
- 2.54mm
- Operating Supply Voltage
- 3V
- Contact Plating
- Gold, Tin
- Besleme Gerilimi
- 3V
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 260
- Memory Width
- 8
- Terminal Sayısı
- 32
- Memory Format
- NVSRAM
- Density
- 1 Mb
- Ambalaj
- Tape & Reel (TR)
- Nominal Supply Current
- 52mA
- Supply Voltagemax Vsup
- 3.6V
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Pin Sayısı
- 32
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 3 (168 Hours)
- Terminal Adımı
- 1.27mm
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Word Size
- 8b
- Montaj
- Surface Mount
- Standby Currentmax
- 0.005A
- Parça Durumu
- Active
- Memory Types
- Non-Volatile
- Fabrika Tedarik Süresi
- 18 Weeks
- Supply Voltagemin Vsup
- 2.7V
- Çalışma Sıcaklığı
- -40°C~85°C TA
- Kılıf / Paket
- 32-SOIC (0.295, 7.50mm Width)
- Radyasyon Dayanımı
- No
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory