Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Nominal Supply Current
- 70mA
- Density
- 1 Mb
- Memory Format
- NVSRAM
- Ambalaj
- Tray
- Contact Plating
- Copper, Silver, Tin
- Besleme Gerilimi
- 3V
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 260
- Memory Width
- 8
- Terminal Sayısı
- 48
- Terminal Kaplaması
- Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
- Memory Size
- 1Mb 128K x 8
- Data Bus Width
- 8b
- ECCN Kodu
- EAR99
- Maks. Oturma Yüksekliği
- 1.2mm
- Operating Supply Voltage
- 3V
- Temel Parça No
- CY14B101
- Memory Interface
- Parallel
- Pin Sayısı
- 48
- Besleme Gerilimi
- 2.7V~3.6V
- Write Cycle Time Word Page
- 25ns
- Terminal Pozisyonu
- BOTTOM
- Yayın Yılı
- 2009
- Qualification Status
- Not Qualified
- Organization
- 128KX8
- Uzunluk
- 10mm
- Operating Mode
- ASYNCHRONOUS
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- Access Time Max
- 25 ns
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- 30
- JESD-609 Kodu
- e1
- Kılıf / Paket
- 48-TFBGA
- Fabrika Tedarik Süresi
- 13 Weeks
- Supply Voltagemin Vsup
- 3.6V
- Çalışma Sıcaklığı
- -40°C~85°C TA
- Parça Durumu
- Active
- Memory Types
- Non-Volatile
- Word Size
- 8b
- Montaj
- Surface Mount
- Standby Currentmax
- 0.005A
- Terminal Adımı
- 0.75mm
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory