Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Memory Format
- NVSRAM
- Density
- 1 Mb
- Kurşunsuz Kodu
- yes
- Terminal Sayısı
- 48
- Memory Width
- 16
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 260
- Besleme Gerilimi
- 3V
- Temel Parça No
- CY14B101
- Data Bus Width
- 8b
- Terminal Pozisyonu
- DUAL
- Besleme Gerilimi
- 2.7V~3.6V
- Pin Sayısı
- 48
- JESD-609 Kodu
- e4
- Fabrika Tedarik Süresi
- 7 Weeks
- Kılıf / Paket
- 48-BSSOP (0.295, 7.50mm Width)
- Montaj
- Surface Mount
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 3 (168 Hours)
- Supply Voltagemax Vsup
- 3.6V
- HTS Kodu
- 8542.32.00.41
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Kurşunsuz
- Lead Free
- Max Power Dissipation
- 1W
- Ambalaj
- Tube
- Nominal Supply Current
- 52mA
- Contact Plating
- Gold, Tin
- Memory Interface
- Parallel
- Operating Supply Voltage
- 3V
- ECCN Kodu
- EAR99
- Memory Size
- 1Mb 128K x 8
- Terminal Kaplaması
- Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
- Maks. Oturma Yüksekliği
- 2.794mm
- Organization
- 64KX16
- Uzunluk
- 15.875mm
- Yayın Yılı
- 2005
- Write Cycle Time Word Page
- 25ns
- Access Time Max
- 45 ns
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- 30
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- Supply Voltagemin Vsup
- 2.7V
- Çalışma Sıcaklığı
- -40°C~85°C TA
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory