2N4949

Teknik Özellikler

Transistor Element Material

SILICON

Power Dissipationmax Abs

0.36W

Jesd30 Code

O-MBCY-W3

Operating Temperature Max

200°C

Kılıf / Paket

TO-206AA, TO-18-3 Metal Can

Operating Temperature Min

-65°C

Yayın Yılı

2000

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

NOT SPECIFIED

Yüzey Montaj

NO

Emitter Currentmax

50mA

Peak Point Currentmax

1mA

Intrinsic Standoff Ratiomax

0.86

Kurşunsuz Kodu

no

Çıkış Gerilimi

3V

Number Of Elements

1

Terminal Kaplaması

TIN/LEAD (SN/PB)

Current Valley Iv

2mA

Nem Hassasiyeti (MSL)

Not Applicable

Configuration

SINGLE

Terminal Sayısı

3

Interbase Voltagemax

25V

Current Peak

1μA

Terminal Pozisyonu

BOTTOM

JESD-609 Kodu

e0

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

NOT SPECIFIED

Intrinsic Standoff Ratiomin

0.74

Valley Point Currentmin

2mA

Static Interbase Resmax

12 kΩ

Static Interbase Resmin

4 kΩ

Terminal Formu

WIRE

RoHS Durumu

Non-RoHS Compliant

REACH Uyumluluk Kodu

not_compliant

Parça Durumu

Obsolete