2N4853

Teknik Özellikler

Transistor Element Material

SILICON

Kurşunsuz Kodu

no

Yüzey Montaj

NO

Jesd30 Code

O-MBCY-W3

Qualification Status

Not Qualified

Terminal Kaplaması

Tin/Lead (Sn/Pb)

Çıkış Gerilimi

6V

Parça Durumu

Obsolete

Terminal Sayısı

3

Emitter Currentmax

50mA

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

NOT SPECIFIED

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

NOT SPECIFIED

Number Of Elements

1

Interbase Voltagemax

35V

Pin Sayısı

3

Kılıf / Paket

TO-206AA, TO-18-3 Metal Can

Configuration

SINGLE

Current Valley Iv

6mA

Operating Temperature Max

125°C

Operating Temperature Min

-65°C

Valley Point Currentmin

6mA

Transistor Application

SWITCHING

JESD-609 Kodu

e0

Static Interbase Resmax

9.1 kΩ

RoHS Durumu

Non-RoHS Compliant

Current Peak

400nA

Static Interbase Resmin

4.7 kΩ

Intrinsic Standoff Ratiomax

0.85

REACH Uyumluluk Kodu

not_compliant

Intrinsic Standoff Ratiomin

0.7

Terminal Formu

WIRE

Nem Hassasiyeti (MSL)

Not Applicable

Terminal Pozisyonu

BOTTOM

HTS Kodu

8541.21.00.95

Yayın Yılı

2010

Power Dissipation Max

300mW