2N4851

Teknik Özellikler

Intrinsic Standoff Ratiomin

0.56

Peak Point Currentmax

2mA

REACH Uyumluluk Kodu

not_compliant

Intrinsic Standoff Ratiomax

0.75

Static Interbase Resmin

4.7 kΩ

Current Peak

2μA

RoHS Durumu

Non-RoHS Compliant

Static Interbase Resmax

9.1 kΩ

JESD-609 Kodu

e0

Transistor Application

SWITCHING

Valley Point Currentmin

2mA

Operating Temperature Min

-65°C

Operating Temperature Max

200°C

Current Valley Iv

2mA

Power Dissipation Max

300mW

Yayın Yılı

2000

HTS Kodu

8541.21.00.95

Terminal Pozisyonu

BOTTOM

Nem Hassasiyeti (MSL)

Not Applicable

Terminal Formu

WIRE

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

NOT SPECIFIED

Emitter Currentmax

50mA

Parça Durumu

Obsolete

Terminal Sayısı

3

Çıkış Gerilimi

3V

Qualification Status

Not Qualified

Terminal Kaplaması

Tin/Lead (Sn/Pb)

Jesd30 Code

O-MBCY-W3

Yüzey Montaj

NO

Kurşunsuz Kodu

no

Transistor Element Material

SILICON

Configuration

SINGLE

Kılıf / Paket

TO-206AA, TO-18-3 Metal Can

Interbase Voltagemax

35V

Pin Sayısı

3

Number Of Elements

1

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

NOT SPECIFIED