+90 533 300 32 01
C3 ChipZentronix
AS6C8016A-55ZIN

Alliance Memory, Inc.

AS6C8016A-55ZIN

Memory

RoHS: Compliant

Fiyat için teklif alın

Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.

Teknik özet (PDF)

Sevkiyat

Stoktan aynı gün hazırlık

Orijinal ürün

Doğrulanmış tedarik

RoHS

Compliant

Destek

Teknik ekip desteği

Teknik Özellikler

Access Time Max
55 ns
Write Cycle Time Word Page
55ns
Pin Sayısı
44
Parça Durumu
Active
Memory Width
16
Jesd30 Code
R-PDSO-G44
Supply Voltagemin Vsup
2.7V
Çalışma Sıcaklığı
-40°C~85°C TA
Terminal Adımı
0.8mm
Terminal Sayısı
44
Yayın Yılı
1997
Terminal Pozisyonu
DUAL
JESD-609 Kodu
e3/e6
Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
260
Radyasyon Dayanımı
No
Fonksiyon Sayısı
1
Address Bus Width
19b
Memory Interface
Parallel
Memory Size
8Mb 512K x 16
Supply Voltagemax Vsup
3.6V
Kılıf / Paket
44-TSOP (0.400, 10.16mm Width)
Montaj Tipi
Surface Mount
Ambalaj
Tray
Kurşunsuz Kodu
yes
Nem Hassasiyeti (MSL)
3 (168 Hours)
Besleme Gerilimi
3.3V
Number Of Ports
1
Terminal Kaplaması
PURE MATTE TIN/TIN BISMUTH
RoHS Durumu
ROHS3 Compliant
Yüzey Montaj
YES
Memory Types
Volatile
Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
40
Operating Supply Voltage
3.3V
Memory Format
SRAM
Fabrika Tedarik Süresi
8 Weeks
Kurşunsuz
Lead Free
Besleme Gerilimi
2.7V~3.6V
Density
8 Mb

İlgili Ürünler

  • Microchip Technology

    11AA010-I/MS

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/P

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/SN

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/TO

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/MNY

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/MS

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/SN

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/TT

    Memory
  • Hızlı Teslimat

    Stoktan aynı gün hazırlık ve sevkiyat

    Orijinal Ürün

    Yetkili kaynaklardan tedarik

    Datasheet

    Parça için teknik doküman erişimi

    Teknik Destek

    Satış öncesi ve sonrası uzman destek